品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS5352
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:131nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6940pF@30V
连续漏极电流:13.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@13.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN86501LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:335pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:116mΩ@2.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:1.25A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA86551L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1235pF@30V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8560L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11130pF@30V
连续漏极电流:22A€93A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:3.2mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9958
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@30V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:105mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5632N-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@15V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@1.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2238}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR5105PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:347mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.3pF@25V
连续漏极电流:196mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS5120PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:111mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5618P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@30V
连续漏极电流:1.25A
类型:P沟道
导通电阻:170mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9945
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: