采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3464DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1065pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：P-Channel
导通电阻：21mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3464DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1065pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3464DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1065pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：P-Channel
导通电阻：21mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3464DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1065pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3464DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1065pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：P-Channel
导通电阻：21mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：P-Channel
导通电阻：21mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3429EDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4085pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：P-Channel
导通电阻：21mΩ@4A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2406
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：12.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFX-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3493DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1825pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
