品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@6V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:886pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":65963}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:886pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4159NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1045pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP1055USW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1028pF@6V
连续漏极电流:3.8A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@4V
连续漏极电流:5A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@3.5A,10V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":65963}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB12UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:886pF@10V
连续漏极电流:7.9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":67883,"22+":51000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJS4114NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: