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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A€4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A€4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A€4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1424EDH-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1424EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A€4A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@5A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订500个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2028UFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2028UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:907pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460DDV-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460DDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:666pF@10V

    连续漏极电流:7.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB422EDK-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB422EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€13W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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