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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：322，"20+"：136250，"21+"：25400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3103STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@34A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：322，"20+"：136250，"21+"：25400，"MI+"：1600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRL3103STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@34A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL62P3LLH6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10P3LLH6
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：33nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：12mΩ@5A，10V
功率：2.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL62P3LLH6
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3350pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：P沟道
导通电阻：10.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
