采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：57452，"07+"：39000，"08+"：201364}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8822
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：18mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：57452，"07+"：39000，"08+"：201364}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLTD7900ZR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@16V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON2801
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：120mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@10V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4390}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25303W1015
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：58mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7123DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：90nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3729pF@10V
连续漏极电流：10.2A
类型：P沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：16+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3415
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1450pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO8814
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
功率：1.5W
输入电容：1390pF@10V
漏源电压：20V
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：16mΩ@7.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：16+
规格型号(MPN)：AO3415
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
输入电容：1450pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
栅极电荷：17.2nC@4.5V
导通电阻：43mΩ@4A，4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
