品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
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功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2991UDJ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@15V€17pF@16V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2991UDJ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@15V€17pF@16V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
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功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:380mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMC2991UDJ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@15V€17pF@16V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2991UDJ-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:21.5pF@15V€17pF@16V
连续漏极电流:500mA€360mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:0.93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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