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    品牌: ON SEMI
    阈值电压: 1V@250µA
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@16V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:300pF@10V

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:224mA

    输入电容:15.8pF@15V

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:120mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:1540pF@16V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:3.6A

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    输入电容:500pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:1540pF@16V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:3.6A

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS0K8N021ZTCG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS0K8N021ZTCG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG

    功率:125mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:12.3pF@15V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:300pF@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1080pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9.5A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:224mA

    输入电容:15.8pF@15V

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:120mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3C21NZT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3C21NZT1G

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17.8nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:1540pF@16V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:3.6A

    导通电阻:24mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME820NZT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME820NZT

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    类型:N沟道

    输入电容:865pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    导通电阻:18mΩ@9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZ

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1080pF@10V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9.5A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:9nC@4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.2A

    输入电容:300pF@10V

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3164NZT5G 起订3859个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3164NZT5G 起订3859个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"23+":48000}

    规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:155mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:361mA

    导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:24pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 MGSF2N02ELT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:427pF@15V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:710mW

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MVSF2N02ELT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 MVSF2N02ELT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MVSF2N02ELT1G

    导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V

    输入电容:150pF@5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:3.5nC@4V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA410NZT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA410NZT

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    栅极电荷:14nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9.5A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:23mΩ@9.5A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订16000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3193NZT5G 起订16000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3193NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:1.4Ω@100mA,4.5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:224mA

    输入电容:15.8pF@15V

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:120mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLJF4156NT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:70mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:427pF@15V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    功率:710mW

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS331N 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS331N

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:162pF@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:5nC@4.5V

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,4.5V

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:1.3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTNS0K8N021ZTCG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS0K8N021ZTCG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS0K8N021ZTCG

    功率:125mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:220mA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:12.3pF@15V

    漏源电压:20V

    类型:N沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3164NZT5G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTNS3164NZT5G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTNS3164NZT5G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:155mW

    类型:N沟道

    连续漏极电流:361mA

    导通电阻:700mΩ@200mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:24pF@10V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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