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    阈值电压: 1V@250µA
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 12V
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7858BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7858BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8806DB-T2-E1 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:106pF@10V

    连续漏极电流:1.41A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1260UFA-7B 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1260UFA-7B 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1260UFA-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.96nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:60pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:366mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:106pF@10V

    连续漏极电流:1.41A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1004UFV-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1004UFV-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2385pF@6V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4838BDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4838BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5760pF@6V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1150UFB-7B 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1150UFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:1.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:106pF@10V

    连续漏极电流:1.41A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:23.4nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:995pF@6V

    连续漏极电流:12.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1442DH-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1442DH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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