首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压
    功率
    工作温度
    行业应用
    栅极电荷
    连续漏极电流
    阈值电压: 1V@250µA
    功率: 1.2W
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订500个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订500个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订300个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订300个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订68个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订68个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订11个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订11个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订11个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订11个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订54个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订54个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订18个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订18个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订18个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订18个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订500个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订500个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订1000个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订100个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订100个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订77个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2075UVT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2075UVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:642pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2022UNS-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2022UNS-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@10V

    连续漏极电流:10.7A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:10.8mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订900个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订900个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS2312 起订600个装

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS2312

    工作温度:150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:11.05nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:888pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@6.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧