品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.3pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.81W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1024UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7341TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:4.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:50mΩ@4.7A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:32pF@30V
连续漏极电流:350mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@100mA,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7313TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:29mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6926ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA910EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@6V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1034CX-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:43pF@10V
连续漏极电流:610mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2990UDJQ-7
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:450mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A11DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@40V
连续漏极电流:2.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:120mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN3A04DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.81W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@15V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@12.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2004VK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD280UN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@20V
连续漏极电流:870mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:340mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1036X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@15V
连续漏极电流:610mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:540mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6954ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:53mΩ@3.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":56975,"13+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB38UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:268pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: