品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA470EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:2.25A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
连续漏极电流:680mA€460mA
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:13.6W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@10V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC3730UVT-13
工作温度:-55℃~175℃
包装方式:卷带(TR)
类型:N和P沟道互补型
漏源电压:25V
功率:700mW
阈值电压:1.1V@250µA
连续漏极电流:680mA€460mA
输入电容:50pF@10V€63pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQA410EJ-T1_GE3
功率:13.6W
导通电阻:28mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:1.1V@250µA
输入电容:485pF@10V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:8nC@4.5V
连续漏极电流:7.8A
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: