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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4340，"23+"：7043}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD08P06-155L-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€20.8W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：8.2A
类型：P沟道
导通电阻：155mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20P06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：26nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：15.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：357mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：150mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD09P06PLGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@6.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KT-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：6Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKW
工作温度：-55℃~150℃
功率：270mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84W RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：37pF@30V
连续漏极电流：140mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@140mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
