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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：7588，"23+"：40000，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：12A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：145500，"23+"：195000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10945，"24+"：3622}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC024NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@12V
连续漏极电流：25A€110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C460NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@20V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：12A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N03MSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€30W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@15V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：21A€78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C460NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
