品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":460870,"09+":1480}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
栅极电荷:9.1nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3565}
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4501NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:462pF@24V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ060NE2LS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:12A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ0901NLSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@12V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: