品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17322Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@14A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1431EH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:205pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17522Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:695pF@15V
连续漏极电流:87A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17527Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:10.8mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17327Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:506pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@11A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: