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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H600NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H600NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€160W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6680pF@30V

    连续漏极电流:35A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€79W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2164pF@25V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:35A€224A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 MTP3055VL 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MTP3055VL

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D3N06CLTWG 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS3D3N06CLTWG 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS3D3N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€100W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:26A€133A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@4.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5810-F085 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5810-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:72W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1890pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@32A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订273个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订273个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":7179}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:38A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.36mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C670NLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C670NLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:52nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:287A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W€100W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:40.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:26A€133A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06LT4G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06LT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:32nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS5C670NLTAG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:16A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5865NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€71W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:29nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A€46A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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