品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V€631pF@15V
连续漏极电流:6A€4.2A
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD25P03LT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:80mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG3406L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:495pF@15V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@3.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1025pF@15V
连续漏极电流:17A€31A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":260,"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€37W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:20A€78A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5890pF@25V
连续漏极电流:12.6A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@14.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3404LQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:720mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.8A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO040N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.02W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:25.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1415pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":33035}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€27W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:15A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.56W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@12.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3026LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:643pF@15V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB14R0EPX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:227pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.12W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:404pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4E080BNTR
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.6mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15mΩ@9.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6402LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.75W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB20EN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€12.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:435pF@10V
连续漏极电流:7.2A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@15V
连续漏极电流:19A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISZ040N03L5ISATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€37W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@15V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3032LE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:498pF@15V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:29mΩ@3.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: