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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM180N03CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM180N03CS RLG

    工作温度:150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC3025LSD-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC3025LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V€631pF@15V

    连续漏极电流:6A€4.2A

    导通电阻:25mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD25P03LT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD25P03LT4G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3406L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3406L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3406L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:495pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:579
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0921NDIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0921NDIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1025pF@15V

    连续漏极电流:17A€31A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0904NSIATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":260,"22+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0904NSIATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1267
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO301SPHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO301SPHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO301SPHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.79W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:136nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:12.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO040N03MSGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO040N03MSGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO040N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC019N03L5SATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2800pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.02W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0506NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":33035}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0506NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€27W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1158
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3026LVT-7 起订26个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3026LVT-7 起订26个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3026LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:643pF@15V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB14R0EPX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB14R0EPX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:227pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.12W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:404pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RF4E080BNTR 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RF4E080BNTR

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.6mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO150N03MDGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO150N03MDGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6402LVT-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6402LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.75W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20EN,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20EN,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20EN,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:435pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ0902NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ0902NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€48W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ040N03L5ISATMA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISZ040N03L5ISATMA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISZ040N03L5ISATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€37W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:18A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3032LE-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3032LE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
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