品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:36A€235A
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C612NLAFT1G
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:13.5Ω
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:1.6Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:24.5pF@20V
阈值电压:2V@250µA
功率:280mW
栅极电荷:0.7nC@4.5V
连续漏极电流:310mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G
输入电容:2880pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:26A€133A
功率:4W€100W
类型:N沟道
栅极电荷:40.7nC@10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL014TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
栅极电荷:8.4nC@5V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:200mΩ@1.6A,5V
输入电容:400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2W€3.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:287A
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LW-7
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:300mW
栅极电荷:0.87nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":7179}
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:260mA
导通电阻:3Ω@115mA,10V
类型:N沟道
功率:430mW
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LSS-13
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:10.8A
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:10.6A€87A
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
栅极电荷:34nC@10V
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:79W
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8L-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:3Ω@115mA,10V
输入电容:22pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:370mW
栅极电荷:0.87nC@10V
连续漏极电流:310mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:50pF@25V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:115mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002AQ-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
功率:370mW
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:180mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:345pF@25V
阈值电压:2V@250µA
功率:3W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:100mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LT-7
阈值电压:2V@250µA
输入电容:23pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LFG-7
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:2V@250µA
功率:2.08W€19.2W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:11A€34A
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: