品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":35000}
规格型号(MPN):BSC882N03MSGATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:4300pF@15V
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:2V@250µA
漏源电压:34V
连续漏极电流:22A€100A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03MSGATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
输入电容:5700pF@15V
栅极电荷:73nC@10V
导通电阻:3mΩ@30A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:35A€100A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:3300pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
栅极电荷:39nC@10V
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:2800pF@12V
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:100A
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1
功率:2.5W€69W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:35A€100A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
类型:N沟道
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:3300pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
功率:2.5W€69W
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:28A€100A
输入电容:2800pF@15V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
功率:2.5W€69W
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:28A€100A
输入电容:2800pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@15V
连续漏极电流:35A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC030N03MSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@15V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":13626,"23+":9144}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@15V
连续漏极电流:35A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3950,"22+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0500NSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3300pF@15V
连续漏极电流:35A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N03L5SATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@15V
连续漏极电流:28A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: