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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    包装方式: 散装
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    当前匹配商品:20+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订489个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10 起订489个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:489
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:589
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1000,"19+":1000}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    包装规格(MPQ):489psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:589
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60030E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP60030E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP60030E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:141nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:7910pF@40V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD9014PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD9014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@660mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD123PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD123PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C446NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C446NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):202psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C446NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34.3nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:202
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90100E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3930pF@100V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM90100E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM90100E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3930pF@100V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@16A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N10

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":860}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):489psc

    规格型号(MPN):FQPF19N10

    导通电阻:100mΩ@6.8A,10V

    类型:N沟道

    栅极电荷:25nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:13.6A

    功率:38W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6413ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":1085}

    销售单位:

    包装规格(MPQ):268psc

    规格型号(MPN):NTP6413ANG

    导通电阻:28mΩ@42A,10V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    栅极电荷:51nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    漏源电压:100V

    输入电容:1800pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

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