品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP32P20T
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14500pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
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连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2400,"MI+":1600}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:管件
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120P065T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13200pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@500mA,10V
漏源电压:65V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP180N10T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:480W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
输入电容:10500pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8443
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9310pF@25V
连续漏极电流:25A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: