品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:410nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5348pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG70N60AEF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:410nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5348pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75332P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@60A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG73N60AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:394nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@36.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH10H028SCT
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31.9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1942pF@50V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: