品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB33N65M2
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB33N65M2
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1790pF@100V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):STB32NM50N
工作温度:150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1973pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
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