品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
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连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:266mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2063pF@100V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:147mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP448PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@6.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB21N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2030pF@100V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:176mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3260pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@37A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH20N50E-T1-GE3
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:22A
包装方式:管件
导通电阻:147mΩ@10A,10V
功率:174W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:84nC@10V
输入电容:2063pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: