采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：散装
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@960mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.5A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@5.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：2500，"21+"：2064，"22+"：2078}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86581-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：48.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z24PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
