采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86101
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：12.4A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD20NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD25NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD26NF10
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1550pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@12.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD140N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86322
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@50V
连续漏极电流：13A€60A
类型：N沟道
导通电阻：7.65mΩ@13A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N004C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB30NF10T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：446，"21+"：2708，"22+"：4780，"MI+"：5845}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS004N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@40V
连续漏极电流：126A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@44A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
