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    阈值电压: 4V@250µA
    行业应用: 工业
    包装方式: 管件
    类型: N沟道
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:1800+
    商品信息
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S204AKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S204AKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":296,"14+":18500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N04S204AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:338
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP10250E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP10250E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP10250E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:63A

    类型:N沟道

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2204PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2204PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2204PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@130A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF630NPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF630NPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:82W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:575pF@25V

    连续漏极电流:9.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT360N055T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT360N055T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT360N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:935W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20000pF@25V

    连续漏极电流:360A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2552
    onsemi Mosfet场效应管 FDP2552

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP2552

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:5A€37A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP260N055T2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP260N055T2

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP260N055T2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:480W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10800pF@25V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:66
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75345P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75345P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75345P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:325W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:275nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:4000pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@75A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF530SPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF530SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€88W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75645P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75645P3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:238nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3790pF@25V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF510PBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:180pF@25V

    连续漏极电流:5.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFP4110PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP4110PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:370W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:210nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9620pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ14GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ14GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ14GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP50020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ40PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP50N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    加购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1336
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF75639G3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF75639G3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@56A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:103
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP140PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP140PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:31A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@19A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ40PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90330E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP90330E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP90330E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1172pF@100V

    连续漏极电流:35.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFIZ24NPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFIZ24NPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ24NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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