销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB30NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD26NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:12.4A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP30NF10
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1180pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF10T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@12.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: