采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB12N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1224pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT80040DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：338nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26110pF@20V
连续漏极电流：420A
类型：N沟道
导通电阻：0.56mΩ@64A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG15N80AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1128pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@6.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHH14N65EF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1749pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：271mΩ@7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1093pF@100V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@7.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
