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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3400pF@50V
连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
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功率：6W€96.2W
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
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功率：6W€96.2W
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
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功率：6W€96.2W
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
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功率：6W€96.2W
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
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功率：6W€96.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
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功率：179W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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功率：6W€96.2W
阈值电压：4V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W€96.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
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连续漏极电流：25.1A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@20A，10V
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：62nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
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功率：179W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
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包装规格(MPQ)：25psc
规格型号(MPN)：SIHG17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：179W
包装方式：管件
栅极电荷：62nC@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR512DP-T1-RE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：62nC@10V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB17N80AE-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1260pF@100V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：290mΩ@8.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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