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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH15H017SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2344pF@75V

    连续漏极电流:11A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT61M5SPSW-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT61M5SPSW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€139W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6004SPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6004SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A07FTA 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A07FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:138pF@50V

    连续漏极电流:700mA

    类型:N沟道

    导通电阻:700mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN10A09KTC 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN10A09KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1313pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN13H750S-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN13H750S-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:231pF@25V

    连续漏极电流:1A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2A,10V

    漏源电压:130V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTB-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTB-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTB-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:95A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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