采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMD990N65EC_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：47.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：306pF@400V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：990mΩ@2A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP65H20D0HSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：9.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：20Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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