品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2344pF@75V
连续漏极电流:11A€61A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB26N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":3129}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB414
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB414
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:6.6A€51A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STW19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2572
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:4A€29A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP19NM50N
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@50V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@7A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ34NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: