采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
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规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
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功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHU6N62E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：78W
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包装方式：管件
输入电容：578pF@100V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@3A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PJMF210N65EC_T0_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1412pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@9.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB26N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：169W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@100V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：165mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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