采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFW40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP110N055T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3060pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF40N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2500pF@100V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：88mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7370DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.6A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP50N04YUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€97W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
