采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1700}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5862NG
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5862NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：115W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：98A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU80P06Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5450pF@30V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：8.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
