销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF70
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@40A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF70
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@40A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF70
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@40A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80NF70
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@40A,10V
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8382,"22+":8394}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF40NF20
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: