采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP160N055TUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N055PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@55A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP160N055TUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11250pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP109N04PUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10800pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.75mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG47N60AEF-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3576pF@100V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF55-06
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4400pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
功率：45W
类型：N沟道
输入电容：4300pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：38A
导通电阻：15mΩ@40A，10V
栅极电荷：189nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
