品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP10P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:2840pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB22P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB25P06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@25V
连续漏极电流:27.5A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: