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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD120PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@780mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD80460E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：65.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@50V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：44.7mΩ@8.3A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86104
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@50V
连续漏极电流：7A€16A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI520GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86104
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€73W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：923pF@50V
连续漏极电流：7A€16A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS92DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.1W€65.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@125V
连续漏极电流：3.4A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：173mΩ@3.6A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@4.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP12N60M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：538pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD120PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@780mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
