采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：257，"22+"：154}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1360pF@75V
连续漏极电流：2.7A€9A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86261P
包装方式：卷带（TR）
功率：2.3W€40W
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.7A€9A
导通电阻：160mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
输入电容：1360pF@75V
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
漏源电压：500V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
类型：N沟道
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：2.5A
ECCN：EAR99
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF820STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N50CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：625pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
