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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
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功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
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功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
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功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@3A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
栅极电荷：50nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
输入电容：1950pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
