品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB47P06TM-AM002
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:P沟道
导通电阻:26mΩ@23.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A17E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:424pF@50V
连续漏极电流:1.3A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@1.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:175mΩ@6.6A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9214TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@1.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9620STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD8P10TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@3.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80P04P405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:P沟道
导通电阻:5.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9530NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€79W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:P沟道
导通电阻:200mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD11P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:185mΩ@4.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF5210STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:P沟道
导通电阻:60mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9510STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A18GTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1055pF@50V
连续漏极电流:2.6A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:5.1A
类型:P沟道
导通电阻:500mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@1.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7431DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.2A
类型:P沟道
导通电阻:174mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7439DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:90mΩ@5.2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL9110TR-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@25V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:1.2Ω@660mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL12P6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9630STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€74W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:6.5A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: