品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7458TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:14A
导通电阻:8mΩ@14A,16V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:9.3A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:9.3A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
输入电容:1530pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
栅极电荷:51nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5672
导通电阻:10mΩ@12A,10V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:2200pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
输入电容:1530pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
栅极电荷:51nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7490TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:5.4A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:39mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7490TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1720pF@25V
连续漏极电流:5.4A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:39mΩ@3.2A,10V
栅极电荷:56nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7495TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:7.3A
输入电容:1530pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.4A,10V
栅极电荷:51nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3512
栅极电荷:18nC@10V
输入电容:634pF@40V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@4A,10V
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2900pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3572
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:8.9A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:16mΩ@8.9A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5670
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@10A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:2900pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5690
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:28mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:32nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1107pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:9.3A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:38nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:4.9A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2050pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
连续漏极电流:4.1A
栅极电荷:25nC@10V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:3.9A
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
输入电容:2535pF@100V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7493TRPBF
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:15mΩ@5.6A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:53nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:9.3A
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1510pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7458TRPBF
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:59nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:14A
导通电阻:8mΩ@14A,16V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2572
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@4.9A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2535pF@100V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@3.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2582
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: