品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:795pF@100V
连续漏极电流:9.5A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:36.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:9.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:70W
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:540pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:2.5W€42W
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
连续漏极电流:25A
输入电容:2815pF@100V
阈值电压:4V@250µA
功率:202W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NM60N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:188pF@50V
漏源电压:600V
栅极电荷:9.5nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
功率:114W
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:1078pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
输入电容:754pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}
规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:790pF@50V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:26nC@10V
功率:114W
导通电阻:360mΩ@5.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS
包装方式:卷带(TR)
输入电容:170pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
导通电阻:11.5Ω@100mA,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:200mA
栅极电荷:6.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD7N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
栅极电荷:8.8nC@10V
功率:60W
输入电容:271pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:950mΩ@2.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
连续漏极电流:25A
输入电容:2815pF@100V
阈值电压:4V@250µA
功率:202W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
导通电阻:266mΩ@7A,10V
栅极电荷:84nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10N60M2
栅极电荷:13.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:85W
漏源电压:600V
输入电容:400pF@100V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD10NM60N
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:70W
栅极电荷:19nC@10V
输入电容:540pF@50V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:550mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:795pF@100V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9.5A
漏源电压:600V
导通电阻:380mΩ@2.85A,10V
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB6N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
输入电容:232pF@100V
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M2
导通电阻:190mΩ@9A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:29nC@10V
类型:N沟道
功率:150W
输入电容:1060pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3
栅极电荷:86nC@10V
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:1920pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24NM60N
连续漏极电流:17A
导通电阻:190mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@50V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD15N60M2-EP
功率:110W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:378mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:17nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
输入电容:590pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: