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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订5个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订5个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订25个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订25个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订10个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订10个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:795pF@100V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB900CP ROG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB900CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:36.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@100V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@1.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:70W

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:540pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    功率:2.5W€42W

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:25A

    输入电容:2815pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:202W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD3NM60N 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD3NM60N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.3A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:50W

    导通电阻:1.8Ω@1.65A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:188pF@50V

    漏源电压:600V

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    功率:114W

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:1078pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    输入电容:754pF@100V

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4A,10V

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD60N360U1T4G 起订309个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":2626,"17+":35000}

    规格型号(MPN):NDD60N360U1T4G

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:26nC@10V

    功率:114W

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT1N60CTF-WS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT1N60CTF-WS

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:170pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    导通电阻:11.5Ω@100mA,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:200mA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD7N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STD7N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD7N60M2

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    栅极电荷:8.8nC@10V

    功率:60W

    输入电容:271pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    导通电阻:950mΩ@2.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:25A

    输入电容:2815pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:202W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1449pF@100V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:600V

    导通电阻:266mΩ@7A,10V

    栅极电荷:84nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10N60M2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD10N60M2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10N60M2

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:85W

    漏源电压:600V

    输入电容:400pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:70W

    栅极电荷:19nC@10V

    输入电容:540pF@50V

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM60NB380CP ROG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM60NB380CP ROG

    功率:83W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:795pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:9.5A

    漏源电压:600V

    导通电阻:380mΩ@2.85A,10V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.4nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB6N60M2

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:8nC@10V

    类型:N沟道

    输入电容:232pF@100V

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:4.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订2000个装
    ST Mosfet场效应管 STB24N60M2 起订2000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24N60M2

    导通电阻:190mΩ@9A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:29nC@10V

    类型:N沟道

    功率:150W

    输入电容:1060pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60ET1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB22N60ET1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):800psc

    规格型号(MPN):SIHB22N60ET1-GE3

    栅极电荷:86nC@10V

    功率:227W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:21A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1920pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STB24NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STB24NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB24NM60N

    连续漏极电流:17A

    导通电阻:190mΩ@8A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@50V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ST Mosfet场效应管 STD15N60M2-EP 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD15N60M2-EP 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD15N60M2-EP

    功率:110W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:378mΩ@5.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:17nC@10V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    输入电容:590pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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