品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"02+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP100N03S2-03
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7020pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@80A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP100N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2690pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":13300}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S205AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1980pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":13300}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S205AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":13300}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N06S205AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5110pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@80A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP100N04T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2690pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP100N8F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5955pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":400}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1104PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@60A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6004SCT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€113W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: