包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75645P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:310W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:238nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3790pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFU110PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@900mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4110PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"11+":7810}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB6412ANG
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:18.2mΩ@58A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP140PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@19A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@11A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:9.2A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF510PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75639P3
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@56A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF540PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@17A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4110PBFXKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:370W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9620pF@50V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP110N10F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@50V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@55A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF70N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@17.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR120PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:360pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@4.6A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD6415AN-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@23A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI045N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:263W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:74nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5270pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF530PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@8.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP3682
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:6A€32A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@32A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: