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    阈值电压: 4V@250µA
    漏源电压: 650V
    包装方式: 管件
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
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    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

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    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

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    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

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    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

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    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

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    包装方式:管件

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

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    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

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    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

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    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601
    强茂 Mosfet场效应管 PJMF210N65EC_T0_00601

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJMF210N65EC_T0_00601

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:32W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1412pF@400V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65F

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP12N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP12N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1224pF@100V

    连续漏极电流:12A

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP28N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP28N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3405pF@100V

    连续漏极电流:29A

    类型:N沟道

    导通电阻:112mΩ@14A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N65EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB21N65EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB21N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:106nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2322pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7S65
    AOS Mosfet场效应管 AOTF7S65

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF7S65

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:434pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:441
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2
    ST Mosfet场效应管 STFU18N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STFU18N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:770pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M2
    ST Mosfet场效应管 STF16N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:718pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STU11N65M2
    ST Mosfet场效应管 STU11N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU11N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:410pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:670mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHS90N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHS90N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:591nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:11826pF@100V

    连续漏极电流:87A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@45A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOTF11S65L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF11S65L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF11S65L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:646pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:399mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"23+":3000,"9999":40,"MI+":2000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP6N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:820pF@100V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG24N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG24N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:122nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2740pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB12N65E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB12N65E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB12N65E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1224pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG44N65EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG44N65EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:278nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5892pF@100V

    连续漏极电流:46A

    类型:N沟道

    导通电阻:73mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
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