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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG73N60AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG73N60AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):SIHG73N60AE-GE3

    导通电阻:40mΩ@36.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:417W

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    栅极电荷:394nC@10V

    输入电容:5500pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC30GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIBC30GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFIBC30GPBF

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2Ω@1.5A,10V

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:2.5A

    输入电容:660pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:9620pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF

    栅极电荷:39nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFRC20TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:2A

    功率:2.5W€42W

    导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:350pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1400pF@25V

    类型:N沟道

    栅极电荷:49nC@10V

    功率:60W

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA12N60E-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:380mΩ@6A,10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    功率:33W

    输入电容:937pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:25A

    输入电容:2815pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:202W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG47N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3

    功率:357W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:220nC@10V

    连续漏极电流:47A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:64mΩ@24A,10V

    漏源电压:600V

    输入电容:9620pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA22N60E-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA22N60E-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHA22N60E-E3

    栅极电荷:86nC@10V

    功率:35W

    连续漏极电流:21A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@11A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:1920pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):IRFPC50PBF

    功率:180W

    输入电容:2700pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    导通电阻:600mΩ@6A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH11N60EF-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:357mΩ@5.5A,10V

    功率:114W

    栅极电荷:62nC@10V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:1078pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    输入电容:754pF@100V

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4A,10V

    连续漏极电流:8A

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N60E-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA15N60E-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3

    输入电容:1350pF@100V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    栅极电荷:76nC@10V

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB33N60EF-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB33N60EF-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3

    导通电阻:98mΩ@16.5A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:33A

    功率:278W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:155nC@10V

    漏源电压:600V

    输入电容:3454pF@100V

    包装方式:散装

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH26N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@13A,10V

    连续漏极电流:25A

    输入电容:2815pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:202W

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:116nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFU1N60APBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFU1N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    功率:36W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:229pF@25V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:7Ω@840mA,10V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF30N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1psc

    规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:130nC@10V

    类型:N沟道

    功率:37W

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFBC40PBF

    栅极电荷:60nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:1300pF@25V

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHB28N60EF-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SiHB28N60EF-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SiHB28N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:28A

    功率:250W

    类型:N沟道

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    输入电容:2714pF@100V

    栅极电荷:120nC@10V

    导通电阻:123mΩ@14A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40LCPBF-BE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3

    栅极电荷:39nC@10V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1100pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:6.2A

    功率:125W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIB6N60APBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1400pF@25V

    类型:N沟道

    栅极电荷:49nC@10V

    功率:60W

    导通电阻:750mΩ@3.3A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:5.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP23N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3

    功率:227W

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:23A

    导通电阻:158mΩ@12A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    输入电容:2418pF@100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60APBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60APBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFS9N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    输入电容:1400pF@25V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:9.2A

    栅极电荷:49nC@10V

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40ASPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBC40ASPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFBC40ASPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    栅极电荷:42nC@10V

    连续漏极电流:6.2A

    功率:125W

    包装方式:管件

    输入电容:1036pF@25V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB30N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3

    连续漏极电流:29A

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:130nC@10V

    功率:250W

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@15A,10V

    包装方式:管件

    输入电容:2600pF@100V

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC50PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):IRFPC50PBF

    功率:180W

    输入电容:2700pF@25V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    栅极电荷:140nC@10V

    导通电阻:600mΩ@6A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR1N60APBF 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR1N60APBF 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):75psc

    规格型号(MPN):IRFR1N60APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    功率:36W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:229pF@25V

    漏源电压:600V

    导通电阻:7Ω@840mA,10V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR1N60A-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHFR1N60A-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHFR1N60A-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:14nC@10V

    类型:N沟道

    功率:36W

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:229pF@25V

    漏源电压:600V

    导通电阻:7Ω@840mA,10V

    连续漏极电流:1.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N60EF-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH14N60EF-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:147W

    阈值电压:4V@250µA

    输入电容:1449pF@100V

    连续漏极电流:15A

    漏源电压:600V

    导通电阻:266mΩ@7A,10V

    栅极电荷:84nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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