品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):25psc
规格型号(MPN):SIHG73N60AE-GE3
导通电阻:40mΩ@36.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
类型:N沟道
包装方式:管件
连续漏极电流:60A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
栅极电荷:394nC@10V
输入电容:5500pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIBC30GPBF
功率:35W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@1.5A,10V
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:2.5A
输入电容:660pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:9620pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF
栅极电荷:39nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1100pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFRC20TRPBF
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
功率:2.5W€42W
导通电阻:4.4Ω@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:350pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
功率:60W
导通电阻:750mΩ@3.3A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHA12N60E-E3
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:380mΩ@6A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
功率:33W
输入电容:937pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
连续漏极电流:25A
输入电容:2815pF@100V
阈值电压:4V@250µA
功率:202W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHG47N60E-GE3
功率:357W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:220nC@10V
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:64mΩ@24A,10V
漏源电压:600V
输入电容:9620pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHA22N60E-E3
栅极电荷:86nC@10V
功率:35W
连续漏极电流:21A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@11A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:1920pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
功率:180W
输入电容:2700pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:600mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH11N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:357mΩ@5.5A,10V
功率:114W
栅极电荷:62nC@10V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:1078pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
输入电容:754pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA15N60E-E3
输入电容:1350pF@100V
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
栅极电荷:76nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB33N60EF-GE3
导通电阻:98mΩ@16.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:33A
功率:278W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:155nC@10V
漏源电压:600V
输入电容:3454pF@100V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
连续漏极电流:25A
输入电容:2815pF@100V
阈值电压:4V@250µA
功率:202W
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFU1N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:36W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:229pF@25V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:7Ω@840mA,10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):1psc
规格型号(MPN):SIHF30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
功率:37W
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBC40PBF
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:1300pF@25V
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SiHB28N60EF-GE3
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
功率:250W
类型:N沟道
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
输入电容:2714pF@100V
栅极电荷:120nC@10V
导通电阻:123mΩ@14A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBC40LCPBF-BE3
栅极电荷:39nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1100pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:6.2A
功率:125W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFIB6N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:49nC@10V
功率:60W
导通电阻:750mΩ@3.3A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHP23N60E-GE3
功率:227W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
导通电阻:158mΩ@12A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:2418pF@100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFS9N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:170W
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:9.2A
栅极电荷:49nC@10V
导通电阻:750mΩ@5.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IRFBC40ASPBF
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:42nC@10V
连续漏极电流:6.2A
功率:125W
包装方式:管件
输入电容:1036pF@25V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@3.7A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):SIHB30N60E-GE3
连续漏极电流:29A
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
功率:250W
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@15A,10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@100V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):IRFPC50PBF
功率:180W
输入电容:2700pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:600mΩ@6A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):IRFR1N60APBF
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:36W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:229pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:7Ω@840mA,10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFR1N60A-GE3
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
功率:36W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
输入电容:229pF@25V
漏源电压:600V
导通电阻:7Ω@840mA,10V
连续漏极电流:1.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH14N60EF-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:147W
阈值电压:4V@250µA
输入电容:1449pF@100V
连续漏极电流:15A
漏源电压:600V
导通电阻:266mΩ@7A,10V
栅极电荷:84nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: